软件：STM32-F1系列-存储器映像（2026/7/5）

所有存储器可以分成两大类

一：易失性存储器（Volatile Memory）

①：SRAM

SRAM = Static Random Access Memory

中文：静态随机存取存储器

核心一句话

高速、无需刷新、掉电丢失，用于“运行中的临时数据”

特点

• ⚡ 速度最快（CPU同级访问）

• ❌ 掉电即丢数据（易失性）

• ❌ 成本高、面积大

• ❌ 容量一般较小

• ❌ 不需要刷新

嵌入式用途

• 变量（全局/局部）

• 堆（heap）

• 栈（stack）

• DMA缓存

典型位置

• STM32内部RAM

• CPU Cache（本质也是SRAM）

②：DRAM

DRAM = Dynamic Random Access Memory

中文：动态随机存取存储器

核心一句话

大容量、便宜、需要刷新、用于“运行缓存扩展”

特点

• ⚡ 比SRAM慢

• ✔ 容量大、密度高

• ❌ 必须周期刷新（Refresh）

• ❌ 控制复杂（需要控制器）

• ❌ 掉电丢失

嵌入式用途

• SDRAM（LCD framebuffer）

• Linux系统内存（DDR）

• 大数据缓存

典型形式

• SDRAM（嵌入式常见）

• DDR SDRAM（高端SoC）

二：非易失性存储器（Volatile Memory）

③：EEPROM

英文全称：EEPROM = Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：电可擦可编程只读存储器

核心一句话

小容量、可字节擦写、用于“参数长期保存”

特点

• ✔ 掉电不丢失

• ✔ 可以按“字节/很小粒度”写入

• ❌ 写入慢

• ❌ 擦写寿命有限

• ❌ 容量小（KB级常见）

嵌入式用途

• 参数保存（PID参数、校准值）

• 设备ID

• 少量配置数据

工程现实

👉 很多MCU没有真正EEPROM
→ 用Flash模拟EEPROM

④：Flash

英文全称：Flash Memory

中文：闪存

核心一句话

大容量非易失存储，但“必须整块擦写”

特点

• ✔ 掉电不丢失

• ✔ 容量大

• ❌ 写入前必须擦除（块/页）

• ❌ 写入次数有限

• ❌ 写入速度比RAM慢

细分特点（工程重点）

NOR Flash

• ✔ 可执行代码（XIP）

• ✔ 随机读取

• ❌ 写慢

• 👉 用于：MCU程序存储

NAND Flash

• ✔ 容量巨大

• ✔ 成本低

• ❌ 不能直接执行

• ❌ 需要ECC + 控制器

• 👉 用于：SD卡 / eMMC

SPI Flash（工程最常见）

• ✔ NOR Flash + SPI接口

• ✔ 引脚少

• ✔ 易扩展

• 👉 用于：STM32外扩、ESP32、文件系统

三：总结

四：SD卡

SD卡在嵌入式存储体系里不属于SRAM/DRAM/EEPROM/Flash这一层级分类，它属于更上层的一类：

基于 NAND Flash 的“存储卡系统（Storage Card）”

五：写入方式