目录一、扩散硅压阻 MEMS工业 4-20mA 数显变送器主流1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案适配 4~36V 环路供电RY9122 降压 3.3V 整机供电二、陶瓷电容式压力传感器耐腐蚀 / 微压专用1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案方案 A内置 ASIC 0.5~4.5V 电压输出量产主流方案 B裸陶瓷电容芯体无 ASIC高精度定制三、单晶硅溅射薄膜压力传感器高温高压专用1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案高温工业宽压供电四、数字输出 MEMSI2C/SPI 一体式 MEMS低成本小型数显表1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案无模拟放大电路仅数字配套四类传感方案完整横向对比表新增关键电气输出参数一、扩散硅压阻 MEMS工业 4-20mA 数显变送器主流1. 核心工作原理单晶硅基底湿法腐蚀成型薄硅弹性膜片膜片离子注入 4 路匹配硅压敏电阻构成全惠斯通电桥。零压状态4 支压敏电阻阻值均衡电桥差分输出Vsig0受压状态硅膜片弹性形变2 只电阻受拉伸阻值上升、2 只受压缩阻值下降电桥失衡输出差分 mV 比率信号隔离结构316L 不锈钢隔离膜 硅油传压隔绝被测介质与脆弱硅芯片。输出公式2. 关键电气 / 性能参数灵敏度1.0~3.0mV/V标准 2mV/V激励条件恒压 2.5V/5V恒流 100~200μA输入阻抗3kΩ~10kΩ零点输出≤±0.1mV/V线性精度0.1%~0.25% FS温漂±0.02% FS/℃0~70℃补偿区间过载 / 破坏压力1.5FS、3FS工作介质温度-40~120℃120℃硅油老化漂移激增量程范围1kPa ~ 100MPa3. 优点输出 mV 差分信号幅度大放大电路设计简单规模化量产供货稳定、成本中低量程全覆盖微压至高压均可实现自带内置 NTC 热敏电阻MCU 分段软件温补可实现 0.1% FS 高精度硅膜片抗振动、抗水锤冲击优于陶瓷电容适配水泵、空压机动态压力场景。4. 缺点硅油传压结构长期 120℃以上介质会硅油挥发、零点漂移加剧316L 膜片耐腐蚀性有限强酸、海水、氯离子介质易腐蚀原生温漂偏大必须同步采集温度做多段补偿否则高低温误差超标500Pa 超微压规格硅膜片极薄气流冲击易永久损坏。5. 典型应用两线制 4-20mA 数字显示压力变送器、暖通压差、给排水水泵、空压机、通用液压站、中央空调风压、中性燃气管道压力监测。6. 专用模拟前端电路方案适配 4~36V 环路供电RY9122 降压 3.3V 整机供电激励源200μA 精密恒流源比率采集消除供电波动误差低成本方案采用 TL431 2.5V 恒压激励差分仪表放大INA128/INA2128 仪表运放可编程增益 16~128 倍抑制共模工频干扰将 mV 级信号抬升至 ADC 满量程输入防护与滤波差分通道 1kΩ 限流电阻 0.1μF RC 低通抗混叠双向 TVS 管抑制浪涌、ESD 击穿电桥采集单元24 位 Σ-Δ ADCCS1237/AD7124双差分通道同步采集压力信号、芯体 NTC 温度基准电路TL431 2.5V 精密基准统一供给激励、运放、ADC 参考电位后级输出ADC 数字量送入 MCU 运算通过 DAC 生成 4~20mA 恒流输出驱动数显屏幕。二、陶瓷电容式压力传感器耐腐蚀 / 微压专用1. 核心工作原理基材为 96% 氧化铝陶瓷上下双层陶瓷极板构成平行板电容结构底层极板固定上层为超薄陶瓷感应膜零压极板间距d恒定电容\(C\frac{\varepsilon S}{d}\)固定受压陶瓷膜形变极板间距减小电容同步增大内置 ASIC 芯片将电容变化转换为 0.5~4.5V 单端模拟电压无硅油、无硅芯片陶瓷直接接触介质。2. 关键电气 / 性能参数输出信号0.5~4.5V 单端电压ASIC 调理型裸芯差分电容 0.5~10pF供电电压3.3V/5V线性精度0.05%~0.2% FS温漂±0.005% FS/℃天然低温漂无需复杂温补过载 / 破坏压力1.2FS、2FS脆性材质过载余量小工作温度-40~130℃量程范围500Pa ~ 60MPa介质耐受耐酸碱、氯离子、泥沙污水无硅油渗漏风险3. 优点陶瓷热膨胀系数极低全温区温漂远优于扩散硅长期零点漂移极小无硅油填充高温工况无介质挥发失效问题氧化铝陶瓷强耐腐蚀适配污水、海水、化工弱酸强碱微压性能突出最低 500Pa适合炉膛负压、风道微压差长期在线稳定性好年漂移远低于扩散硅。4. 缺点陶瓷脆性材质抗水锤、瞬时高压冲击能力差冲击易碎裂报废同量程成本比扩散硅高 30%~80%电容信号易受 PCB 寄生电容干扰模拟走线屏蔽、间距要求严苛上限量程仅 60MPa超高压场景无法使用。5. 典型应用化工酸碱管道数显变送器、污水厂在线压力监测、锅炉炉膛微差压、实验室气体微压、海水淡化设备、含泥沙流体测量。6. 专用模拟前端电路方案方案 A内置 ASIC 0.5~4.5V 电压输出量产主流无需仪表差分放大信号经 RC 滤波、分压后直连 MCU 内置 12 位 ADC电源端 LC 滤波 双向 TVS抑制工业变频、电机干扰外置 NTC 采集环境温度软件二次修正微小温漂整机供电采用 RY9122 宽压 DC-DC 降压至 3.3V 给 ASIC、MCU、LCD 供电。方案 B裸陶瓷电容芯体无 ASIC高精度定制专用电容检测芯片 AD7150 采集 pF 级电容变化模拟区域完整铺铜 GND电容信号线远离 4-20mA 功率回路、LCD 背光高频走线传感器引线增加金属屏蔽套单端接地消除寄生电容干扰。三、单晶硅溅射薄膜压力传感器高温高压专用1. 核心工作原理基底为 316L / 哈氏合金金属弹性膜片真空溅射工艺在金属表面沉积单晶硅应变薄膜激光修调组成全惠斯通电桥无硅油隔离应变膜直接与金属基体结合。 压力使金属膜形变薄膜应变电阻阻值同步变化输出 mV/V 差分比率信号。输出公式同扩散硅2. 关键电气 / 性能参数灵敏度1.0~2.0mV/V激励条件恒压 5V恒流 200μA高温推荐恒流电桥阻抗5kΩ~12kΩ线性精度0.05%~0.1% FS温漂±0.01% FS/℃-40~150℃区间介质长期耐温150℃短时峰值 180℃过载 / 破坏压力2FS、4FS抗冲击余量极大量程范围1MPa ~ 600MPa膜片可选材质316L、哈氏合金 C276、蒙乃尔适配强腐蚀高温介质3. 优点无硅油结构高温工况无硅油老化、挥发漂移介质耐温上限最高金属一体化结构抗高压、抗振动、抗水锤冲击超高压量程覆盖可定制哈氏合金膜片适配高温强腐蚀化工介质金属膜蠕变极小高压液压长期测量精度稳定宽温工作区间 - 40~150℃户外高温工况温补工作量大幅降低。4. 缺点成本最高同量程价格为扩散硅 2~4 倍最低量程仅 1MPa无法实现微压、负压测量真空溅射工艺复杂交期长、小批量采购成本更高金属弹性体自带固有温漂仍需同步采集温度做补偿。5. 典型应用高温蒸汽锅炉数显压力变送器、工程机械高压液压、油田井下压力采集、高温反应釜、注塑机高压油路、导热油高温管道监测。6. 专用模拟前端电路方案高温工业宽压供电激励200μA 高温精密恒流源高温下恒压基准温漂显著大于恒流放大宽温级仪表运放 INA128工作温度 - 40~125℃采集AD7124 宽温 24 位 ADC双通道同步采集压力差分信号、芯体 PT100 温度器件选型全电路使用高温金属膜电阻、X7R 高温陶瓷电容耐受表头高温环境PCB 优化模拟差分走线加粗缩短降低高温阻抗漂移增加共模隔离电路适配高温强电磁干扰现场供电外部 24V 工业电源输入RY9122 降压稳定输出 3.3V 给主控、显示、采集电路。四、数字输出 MEMSI2C/SPI 一体式 MEMS低成本小型数显表1. 核心工作原理单颗封装集成微型硅压阻芯体 片上 ASIC硅膜受压产生压敏电阻阻值变化ASIC 内部集成恒流激励、仪表放大器、16/24 位 ADC、片上温度传感器、原厂校准补偿算法出厂完成零点、满量程、温漂标定补偿参数存储在片内寄存器直接输出标准化 I2C/SPI 数字信号MCU 无需处理微弱模拟 mV 信号。2. 关键电气 / 性能参数通信接口I2C标准 100kHz/400kHz、SPI供电电压1.8~3.3V静态电流 10~100μA超低功耗线性精度0.2%~0.5% FS内置温度传感器精度±1℃量程范围10kPa ~ 2MPa过载能力1.2FS抗冲击能力弱介质耐受仅干燥空气、清水不耐腐蚀介质输出刷新率1~100Hz 可调。3. 优点前端硬件极简省去激励源、仪表运放、外部 ADC、精密基准PCB 尺寸大幅缩小超低功耗适配电池供电便携式数显压力表原厂出厂全参数标定客户无需整机多点温补校准封装体积微小适合一体化小型表头批量采购物料成本最低。4. 缺点精度上限低仅 0.2~0.5% FS不满足工业计量级变送器要求量程上限仅 2MPa高压液压、蒸汽场景完全无法使用I2C/SPI 数字总线抗干扰差不支持远距离两线制 4-20mA 环路微型不锈钢膜片耐腐蚀差氯离子、酸碱介质易损坏过载余量小水锤、瞬时冲击极易击穿硅膜片。5. 典型应用电池供电小型就地数显压力表、便携式空压机测压表、低压物联网采集模块、净水机压力检测、新风系统风道微压监测。6. 专用模拟前端电路方案无模拟放大电路仅数字配套I2C 总线增加 10kΩ 上拉电阻至 3.3V电源输入端 0.1μF 高频陶瓷 10μF 大容量滤波电容抑制电源纹波通信总线串联 TVS 管防静电、浪涌击穿芯片无运放、ADC、精密基准MCU 直接读取 I2C 压力、温度数字原始值软件仅做量程换算、单位切换无需复杂多段温漂补偿算法供电锂电池 / 小功率 RY9122 低压 DC-DC 供电。四类传感方案完整横向对比表新增关键电气输出参数表格传感类型原始输出信号灵敏度 / 输出幅度激励需求核心模拟器件温补依赖整机物料成本适配供电方式标准输出拓展扩散硅压阻 MEMS差分 mV/V 比率信号1~3mV/V2.5V 恒压 / 100~200μA 恒流恒流源 仪表运放 24 位 ADC 精密基准高外部 NTC 多点分段补偿中低两线制 4~36V 环路供电RY9122 降压 3.3V4~20mA、HART、RS485陶瓷电容式0.5~4.5V 单端电压 / 差分 pF 电容0.5~4.5V 满幅输出3.3V/5V 直流供电电容检测 ASIC / 单端 RC 滤波 通用 ADC低天然低温漂仅微量二次修正中高两线制 / 外置 24V DC-DC 供电4~20mA、Modbus-RS485单晶硅溅射薄膜差分 mV/V 比率信号1~2mV/V200μA 高温恒流优先高温恒流源 宽温仪表运放 宽温 24 位 ADC中PT100 高温专项补偿高工业 24V 宽压外置供电4~20mA、HART、隔离 RS485I2C 数字 MEMSI2C/SPI 数字量数字寄存器直接输出压力 / 温度1.8~3.3V 低压供电无外部激励无模拟放大、ADC仅数字上拉电阻极低片内原厂内置温补最低锂电池 / 小功率低压 RY9122 供电仅本地 LCD 显示无长线 4-20mA
目录一、扩散硅压阻 MEMS工业 4-20mA 数显变送器主流1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案适配 4~36V 环路供电RY9122 降压 3.3V 整机供电二、陶瓷电容式压力传感器耐腐蚀 / 微压专用1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案方案 A内置 ASIC 0.5~4.5V 电压输出量产主流方案 B裸陶瓷电容芯体无 ASIC高精度定制三、单晶硅溅射薄膜压力传感器高温高压专用1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案高温工业宽压供电四、数字输出 MEMSI2C/SPI 一体式 MEMS低成本小型数显表1. 核心工作原理2. 关键电气 / 性能参数3. 优点4. 缺点5. 典型应用6. 专用模拟前端电路方案无模拟放大电路仅数字配套四类传感方案完整横向对比表新增关键电气输出参数一、扩散硅压阻 MEMS工业 4-20mA 数显变送器主流1. 核心工作原理单晶硅基底湿法腐蚀成型薄硅弹性膜片膜片离子注入 4 路匹配硅压敏电阻构成全惠斯通电桥。零压状态4 支压敏电阻阻值均衡电桥差分输出Vsig0受压状态硅膜片弹性形变2 只电阻受拉伸阻值上升、2 只受压缩阻值下降电桥失衡输出差分 mV 比率信号隔离结构316L 不锈钢隔离膜 硅油传压隔绝被测介质与脆弱硅芯片。输出公式2. 关键电气 / 性能参数灵敏度1.0~3.0mV/V标准 2mV/V激励条件恒压 2.5V/5V恒流 100~200μA输入阻抗3kΩ~10kΩ零点输出≤±0.1mV/V线性精度0.1%~0.25% FS温漂±0.02% FS/℃0~70℃补偿区间过载 / 破坏压力1.5FS、3FS工作介质温度-40~120℃120℃硅油老化漂移激增量程范围1kPa ~ 100MPa3. 优点输出 mV 差分信号幅度大放大电路设计简单规模化量产供货稳定、成本中低量程全覆盖微压至高压均可实现自带内置 NTC 热敏电阻MCU 分段软件温补可实现 0.1% FS 高精度硅膜片抗振动、抗水锤冲击优于陶瓷电容适配水泵、空压机动态压力场景。4. 缺点硅油传压结构长期 120℃以上介质会硅油挥发、零点漂移加剧316L 膜片耐腐蚀性有限强酸、海水、氯离子介质易腐蚀原生温漂偏大必须同步采集温度做多段补偿否则高低温误差超标500Pa 超微压规格硅膜片极薄气流冲击易永久损坏。5. 典型应用两线制 4-20mA 数字显示压力变送器、暖通压差、给排水水泵、空压机、通用液压站、中央空调风压、中性燃气管道压力监测。6. 专用模拟前端电路方案适配 4~36V 环路供电RY9122 降压 3.3V 整机供电激励源200μA 精密恒流源比率采集消除供电波动误差低成本方案采用 TL431 2.5V 恒压激励差分仪表放大INA128/INA2128 仪表运放可编程增益 16~128 倍抑制共模工频干扰将 mV 级信号抬升至 ADC 满量程输入防护与滤波差分通道 1kΩ 限流电阻 0.1μF RC 低通抗混叠双向 TVS 管抑制浪涌、ESD 击穿电桥采集单元24 位 Σ-Δ ADCCS1237/AD7124双差分通道同步采集压力信号、芯体 NTC 温度基准电路TL431 2.5V 精密基准统一供给激励、运放、ADC 参考电位后级输出ADC 数字量送入 MCU 运算通过 DAC 生成 4~20mA 恒流输出驱动数显屏幕。二、陶瓷电容式压力传感器耐腐蚀 / 微压专用1. 核心工作原理基材为 96% 氧化铝陶瓷上下双层陶瓷极板构成平行板电容结构底层极板固定上层为超薄陶瓷感应膜零压极板间距d恒定电容\(C\frac{\varepsilon S}{d}\)固定受压陶瓷膜形变极板间距减小电容同步增大内置 ASIC 芯片将电容变化转换为 0.5~4.5V 单端模拟电压无硅油、无硅芯片陶瓷直接接触介质。2. 关键电气 / 性能参数输出信号0.5~4.5V 单端电压ASIC 调理型裸芯差分电容 0.5~10pF供电电压3.3V/5V线性精度0.05%~0.2% FS温漂±0.005% FS/℃天然低温漂无需复杂温补过载 / 破坏压力1.2FS、2FS脆性材质过载余量小工作温度-40~130℃量程范围500Pa ~ 60MPa介质耐受耐酸碱、氯离子、泥沙污水无硅油渗漏风险3. 优点陶瓷热膨胀系数极低全温区温漂远优于扩散硅长期零点漂移极小无硅油填充高温工况无介质挥发失效问题氧化铝陶瓷强耐腐蚀适配污水、海水、化工弱酸强碱微压性能突出最低 500Pa适合炉膛负压、风道微压差长期在线稳定性好年漂移远低于扩散硅。4. 缺点陶瓷脆性材质抗水锤、瞬时高压冲击能力差冲击易碎裂报废同量程成本比扩散硅高 30%~80%电容信号易受 PCB 寄生电容干扰模拟走线屏蔽、间距要求严苛上限量程仅 60MPa超高压场景无法使用。5. 典型应用化工酸碱管道数显变送器、污水厂在线压力监测、锅炉炉膛微差压、实验室气体微压、海水淡化设备、含泥沙流体测量。6. 专用模拟前端电路方案方案 A内置 ASIC 0.5~4.5V 电压输出量产主流无需仪表差分放大信号经 RC 滤波、分压后直连 MCU 内置 12 位 ADC电源端 LC 滤波 双向 TVS抑制工业变频、电机干扰外置 NTC 采集环境温度软件二次修正微小温漂整机供电采用 RY9122 宽压 DC-DC 降压至 3.3V 给 ASIC、MCU、LCD 供电。方案 B裸陶瓷电容芯体无 ASIC高精度定制专用电容检测芯片 AD7150 采集 pF 级电容变化模拟区域完整铺铜 GND电容信号线远离 4-20mA 功率回路、LCD 背光高频走线传感器引线增加金属屏蔽套单端接地消除寄生电容干扰。三、单晶硅溅射薄膜压力传感器高温高压专用1. 核心工作原理基底为 316L / 哈氏合金金属弹性膜片真空溅射工艺在金属表面沉积单晶硅应变薄膜激光修调组成全惠斯通电桥无硅油隔离应变膜直接与金属基体结合。 压力使金属膜形变薄膜应变电阻阻值同步变化输出 mV/V 差分比率信号。输出公式同扩散硅2. 关键电气 / 性能参数灵敏度1.0~2.0mV/V激励条件恒压 5V恒流 200μA高温推荐恒流电桥阻抗5kΩ~12kΩ线性精度0.05%~0.1% FS温漂±0.01% FS/℃-40~150℃区间介质长期耐温150℃短时峰值 180℃过载 / 破坏压力2FS、4FS抗冲击余量极大量程范围1MPa ~ 600MPa膜片可选材质316L、哈氏合金 C276、蒙乃尔适配强腐蚀高温介质3. 优点无硅油结构高温工况无硅油老化、挥发漂移介质耐温上限最高金属一体化结构抗高压、抗振动、抗水锤冲击超高压量程覆盖可定制哈氏合金膜片适配高温强腐蚀化工介质金属膜蠕变极小高压液压长期测量精度稳定宽温工作区间 - 40~150℃户外高温工况温补工作量大幅降低。4. 缺点成本最高同量程价格为扩散硅 2~4 倍最低量程仅 1MPa无法实现微压、负压测量真空溅射工艺复杂交期长、小批量采购成本更高金属弹性体自带固有温漂仍需同步采集温度做补偿。5. 典型应用高温蒸汽锅炉数显压力变送器、工程机械高压液压、油田井下压力采集、高温反应釜、注塑机高压油路、导热油高温管道监测。6. 专用模拟前端电路方案高温工业宽压供电激励200μA 高温精密恒流源高温下恒压基准温漂显著大于恒流放大宽温级仪表运放 INA128工作温度 - 40~125℃采集AD7124 宽温 24 位 ADC双通道同步采集压力差分信号、芯体 PT100 温度器件选型全电路使用高温金属膜电阻、X7R 高温陶瓷电容耐受表头高温环境PCB 优化模拟差分走线加粗缩短降低高温阻抗漂移增加共模隔离电路适配高温强电磁干扰现场供电外部 24V 工业电源输入RY9122 降压稳定输出 3.3V 给主控、显示、采集电路。四、数字输出 MEMSI2C/SPI 一体式 MEMS低成本小型数显表1. 核心工作原理单颗封装集成微型硅压阻芯体 片上 ASIC硅膜受压产生压敏电阻阻值变化ASIC 内部集成恒流激励、仪表放大器、16/24 位 ADC、片上温度传感器、原厂校准补偿算法出厂完成零点、满量程、温漂标定补偿参数存储在片内寄存器直接输出标准化 I2C/SPI 数字信号MCU 无需处理微弱模拟 mV 信号。2. 关键电气 / 性能参数通信接口I2C标准 100kHz/400kHz、SPI供电电压1.8~3.3V静态电流 10~100μA超低功耗线性精度0.2%~0.5% FS内置温度传感器精度±1℃量程范围10kPa ~ 2MPa过载能力1.2FS抗冲击能力弱介质耐受仅干燥空气、清水不耐腐蚀介质输出刷新率1~100Hz 可调。3. 优点前端硬件极简省去激励源、仪表运放、外部 ADC、精密基准PCB 尺寸大幅缩小超低功耗适配电池供电便携式数显压力表原厂出厂全参数标定客户无需整机多点温补校准封装体积微小适合一体化小型表头批量采购物料成本最低。4. 缺点精度上限低仅 0.2~0.5% FS不满足工业计量级变送器要求量程上限仅 2MPa高压液压、蒸汽场景完全无法使用I2C/SPI 数字总线抗干扰差不支持远距离两线制 4-20mA 环路微型不锈钢膜片耐腐蚀差氯离子、酸碱介质易损坏过载余量小水锤、瞬时冲击极易击穿硅膜片。5. 典型应用电池供电小型就地数显压力表、便携式空压机测压表、低压物联网采集模块、净水机压力检测、新风系统风道微压监测。6. 专用模拟前端电路方案无模拟放大电路仅数字配套I2C 总线增加 10kΩ 上拉电阻至 3.3V电源输入端 0.1μF 高频陶瓷 10μF 大容量滤波电容抑制电源纹波通信总线串联 TVS 管防静电、浪涌击穿芯片无运放、ADC、精密基准MCU 直接读取 I2C 压力、温度数字原始值软件仅做量程换算、单位切换无需复杂多段温漂补偿算法供电锂电池 / 小功率 RY9122 低压 DC-DC 供电。四类传感方案完整横向对比表新增关键电气输出参数表格传感类型原始输出信号灵敏度 / 输出幅度激励需求核心模拟器件温补依赖整机物料成本适配供电方式标准输出拓展扩散硅压阻 MEMS差分 mV/V 比率信号1~3mV/V2.5V 恒压 / 100~200μA 恒流恒流源 仪表运放 24 位 ADC 精密基准高外部 NTC 多点分段补偿中低两线制 4~36V 环路供电RY9122 降压 3.3V4~20mA、HART、RS485陶瓷电容式0.5~4.5V 单端电压 / 差分 pF 电容0.5~4.5V 满幅输出3.3V/5V 直流供电电容检测 ASIC / 单端 RC 滤波 通用 ADC低天然低温漂仅微量二次修正中高两线制 / 外置 24V DC-DC 供电4~20mA、Modbus-RS485单晶硅溅射薄膜差分 mV/V 比率信号1~2mV/V200μA 高温恒流优先高温恒流源 宽温仪表运放 宽温 24 位 ADC中PT100 高温专项补偿高工业 24V 宽压外置供电4~20mA、HART、隔离 RS485I2C 数字 MEMSI2C/SPI 数字量数字寄存器直接输出压力 / 温度1.8~3.3V 低压供电无外部激励无模拟放大、ADC仅数字上拉电阻极低片内原厂内置温补最低锂电池 / 小功率低压 RY9122 供电仅本地 LCD 显示无长线 4-20mA
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