极致高热流散热！燊桐启元氮化铝陶瓷片，高端半导体散热新标杆

随着半导体芯片向高集成、高算力、高热流密度迭代普通氧化铝陶瓷导热效率已无法满足高端精密器件的极速散热需求。深圳市燊桐启元电子科技有限公司聚焦高端热管理赛道推出高性能氮化铝陶瓷片以超高出热效率、超低热阻、高绝缘适配高端半导体、高频通信、精密光电设备填补高端精密散热材料市场缺口。相较于氧化铝陶瓷燊桐启元氮化铝陶瓷片导热性能实现跨越式提升导热系数可达170–200W/(m·K)接近金属铝导热水平同时保留陶瓷材料极致绝缘特性真正实现“极速导热高压绝缘”双重极致性能。产品采用高纯氮化铝原料精密烧结晶格结构完整、杂质极低热传导无阻碍可快速疏导芯片瞬间爆发的高热流有效降低芯片结温避免高温导致的算力下降、性能衰减、器件烧毁等问题。同时氮化铝陶瓷热膨胀系数与硅芯片高度匹配高低温循环工况下不易开裂、脱层抗热震性能优异可耐受200℃以上温差冲击完美适配精密半导体封装、高端服务器芯片、射频功率器件等高精度场景是高端电子制造的核心散热基材。