内存价格凶猛上涨！三大原厂扩产遇阻，苹果难逃存储荒反噬

存储原厂开始“烧钱”内存价格正经历一轮凶猛上涨。美国投行Jefferies预测2026年第三季度内存价格环比涨40% - 50%第四季度再涨30% - 40%2027年全年同比上涨40% - 45%涨势至少延续到2028年才会放缓。供应端全球三大DRAM制造商三星、SK海力士和美光现有产能吃紧一半总产能被“长期协议”锁死同时也在扩产。美光已在美国等市场投资超1500亿美元新建产能三星电子和SK集团宣布十年期投资计划总规模2000万亿韩元约合1.3万亿美元三家合计投资预计超1.5万亿美元。因三巨头占据90%以上市场份额引来了反垄断诉讼。三星和SK集团的人工智能基础设施项目投资分散在多个领域半导体是重点。三星计划在韩国西南部建设前道晶圆厂在龙仁半导体集群再建晶圆厂忠清南道天安和温阳建设先进封装基地AI数据中心重点选址在忠清南道牙山。SK海力士计划在光州建设前道晶圆厂在忠清北道清州扩建NAND闪存工厂。美光扩产在全球同步推进美国本土是核心还与ASML签了EUV供应协议。三家公司扩产都拉长时间、分摊负担扩产速度受“结构性约束”未来两三年供给端紧张大概率不缓解。HBM成为战略筹码比起传统DRAMHBM更让下游厂商担忧其需求逻辑与过去内存品类不同。6月黄仁勋表示SK海力士到2030年存储晶圆产能翻倍计划不够英伟达每年从SK海力士采购额达数十亿美元且将大幅增长。分析师fin测算每张GPU的HBM容量需求年增长约40%供给端产能增量为14%DRAM单元密度增速9%需求与供给差距增大DRAM供给增速24%增速差值16%。传统DRAM逆周期易巨亏HBM绕开此陷阱已从传统周期变为成长性周期只要Transformer架构注意力机制不被颠覆HBM指数级需求不停。谁在争抢韩国产能6月黄仁勋在韩国与SK集团相关人员举办“晚餐会”确认英伟达新推出的Vera CPU将采用SK海力士DRAM双方为今明两年“超大规模合作”做准备当天还官宣多年期技术合作协议。今年3月AMD的CEO苏姿丰首次访韩首站到三星电子园区双方签下谅解备忘录三星将为AMD相关产品供应内存和开发定制化DRAM方案。内存正从通用部件变为需CEO争取的战略资源。美光掀桌子苹果遭反噬这轮涨价潮中美光态度强硬。美光首席商务官透露上一次行业低迷期无法投资扩产部分原因是客户“定价激进”“最低价采购”压负供应商毛利率2023年许多行业投资叫停“吐槽”客户被认为是苹果。苹果长期与供应商强硬议价如今存储荒反噬自身。苹果CEO承认内存短缺是“百年一遇的洪水”涨价“不可避免”随后苹果对部分产品线提价市值蒸发2650亿美元。苹果正游说华盛顿希望获许可向长鑫采购内存。市场研究机构分析师认为苹果也无法幸免最快2028年之后存储短缺或过去内存“大宗商品时代”落幕终端厂商未完全适应。