在工业嵌入式存储领域，EVERSPIN MRAM凭借高速读写、非易失性、超长耐久的特性，长期被广泛应用于工业控制、数据采集、智能设备等场景。但受市场供应链波动影响，EVERSPIN MRAM产品价格持续上涨，大幅增加了企业硬件采购与量产成本。为此，我司推出EVERSPIN MRAM替代方案——NETSOL MRAM存储器，可实现全参数兼容替换，性价比超高，适配各类原有应用场景。
一、NETSOL MRAM存储器适配优势
NETSOL MRAM作为英尚重磅推出的EVERSPIN MRAM替代，依托成熟的STT-MRAM技术架构，延续了磁性存储的核心优势，兼具SRAM的高速读写性能与闪存的非易失存储特性。NETSOL MRAM存储器主打高频次、快速数据存取场景，可稳定完成工业设备的数据记录、程序存储、数据备份、实时缓存等核心工作，能够直接替代传统闪存、FeRAM、nvSRAM等存储芯片，完美匹配原EVERSPIN MRAM的所有功能需求。
二、NETSOL MRAM存储器全面兼容的硬件参数配置
为满足不同设备的替换需求，NETSOL MRAM搭载多规格容量体系，覆盖1Mb至64Mb全系列型号，适配绝大多数中小大型嵌入式存储设备。EVERSPIN MRAM替代接口兼容性极强，支持SDR、DDR串行架构，兼容单线、双线、四线SPI接口，适配主流设备通信协议。供电方面支持1.8V、3.3V双电压区间，宽幅电压设计可适配复杂工业供电环境。
三、NETSOL MRAM存储器稳定可靠的工业级性能
作为EVERSPIN MRAM替代，NETSOL MRAM存储器具备顶级工业级耐久与数据保存能力，85℃高温工况下数据可稳定保存20年，读取次数无限制，写入耐久可达10¹⁴次，可长期适配高频读写作业。除此之外，NETSOL MRAM存储器无需搭配外部ECC纠错模块，简化硬件设计、降低生产成本。同时采用8WSON、8SOP、16SOP、24FBGA等通用工业封装，引脚定义标准化，多种选择替换EVERSPIN MRAM，降低替换调试成本。
)
