基本结构与材料

• NMOS：全称 N 沟道金属 - 氧化物半导体场效应管，核心导电沟道为 N 型；
• PMOS：全称 P 沟道金属 - 氧化物半导体场效应管，核心导电沟道为 P 型。
• 两者同为电压控制型器件，无栅极电流，仅通过栅源电压控制漏源极之间的通断，这一基础特性是所有应用的底层逻辑，也是与三极管的核心区别。

开启条件（阈值电压）

• NMOS：漏极电位高于源极电位（VDS＞0），电流从漏极（D）流向源极（S）；
• PMOS：漏极电位低于源极电位（VDS＜0），电流从源极（S）流向漏极（D）

符号与标识

• NMOS: 衬底箭头指向内（指向沟道），表示从P指向N。

• PMOS: 衬底箭头指向外（从沟道指出），表示从N指向P。有时栅极输入端会画一个小圆圈表示低电平有效。

主要特性对比

• NMOS: 导通电阻较小，开关速度快，在相同尺寸下面积更小。在数字电路中常用作“下拉”或“地”开关。

• PMOS: 导通电阻较大，噪声容限较高。在数字电路中常用作“上拉”或“电源”开关。

CMOS互补关系

• 在实际电路中，NMOS和PMOS常成对出现构成CMOS。利用两者开启条件相反的特性，实现一个导通时另一个关闭，从而显著降低静态功耗。