（十二）EEPROM的补充

2026/8/16 21:06:08 拓冰建站浏览量

文章目录

EEPROM补充篇
- 读EEPROM补充内容
- 写EEPROM补充内容
- - 单字节写入
  - 多字节拆成单字节写入
  - 现象

EEPROM补充篇

读EEPROM补充内容

对于上一篇博文在读EEPROM的时候，提到的DUMMY WRITE：

在这里插入图片描述

这里怎么理解呢：

大家看，写EEPROM的逻辑除了写DATA之前，是不是就是读EEPROM的前半部分，所以说读EEPROM的逻辑，前面就是一个伪的写EEPROM

不妨大胆一点认为：对于读ADC的逻辑，其实前部分也是写DAC的逻辑，俗称，假写（伪写）

写EEPROM补充内容

单字节写入

请回看(十一)IIC总线-AT24C02-EEPROM

多字节拆成单字节写入

思路：类比读取DS18B20数据的拼接
这里不废话直接应用

u16 open_num = 0; //2个字节
u8 high = 0; //高字节
u8 low = 0;	//低字节
void EepromTask()
{if(ReadEeprom(0x3f)!= 211){WriteEeprom(0x3f,211);WriteEeprom(0x00,0);//高字节WriteEeprom(0x00,1);//低字节open_num = 1;}else{		high = ReadEeprom(0x01);//高字节low  = ReadEeprom(0x00);//低字节open_num = (u16)((high<<8)|low);open_num++;WriteEeprom(0x00,(u8)(open_num>>8));//高字节WriteEeprom(0x00,(u8)(open_num));//低字节}
}

现象

自行测试

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