1. 项目概述为什么在Workbench里做增材制造高斯热源仿真不是“选修课”而是“必修动作”如果你正在做金属激光粉末床熔融LPBF、电弧增材WAAM或者电子束熔丝EBF3相关的工艺开发、设备调试或质量控制那么“Workbench里增材制造高斯热源仿真”这个标题背后根本不是一个简单的软件操作流程而是一套把看不见的热作用过程变成可量化、可预测、可优化的工程语言的底层能力。我带过三届高校联合培养的研究生也给五家国内主流增材设备厂商做过工艺仿真支持最常听到的一句话是“我们打样失败了但不知道是激光功率没调好还是扫描速度太快还是基板预热不均”——这种“黑箱式试错”单次实验成本动辄上千元周期以天计而一次精准的高斯热源仿真能在开机前就告诉你在200W功率、1200mm/s扫描速度、80℃基板温度下熔池深度会稳定在125±8μm热影响区宽度约420μm残余应力峰值出现在第三层搭接区边缘数值为386MPa略超材料屈服强度——这时候你立刻知道该降功率还是加预热而不是再烧一炉粉。高斯热源模型之所以成为增材制造仿真的事实标准核心在于它数学上简洁、物理上合理、工程上可标定。它用一个二维高斯分布描述激光/电弧能量在作用面上的空间衰减规律公式为$$ q(x,y) \frac{2P}{\pi r^2} \exp\left[-2\left(\frac{x^2y^2}{r^2}\right)\right] $$其中 $ P $ 是输入总功率W$ r $ 是光斑半径m。这个公式看似简单但它隐含了三个关键工程约束第一99.7%的能量集中在3倍半径范围内这与实际激光器的M²因子和聚焦镜参数强相关第二峰值热流密度 $ q_{max} \frac{2P}{\pi r^2} $ 直接决定熔池起始温度梯度是热裂纹敏感性的核心判据第三整个分布完全由 $ P $ 和 $ r $ 两个参数定义意味着你不需要测量整个能量分布图只需用刀口法或CCD相机标定出等效光斑尺寸就能构建可信热源。我见过太多团队花两周时间调试红外热像仪去测熔池温度却忽略在仿真前用一张A4纸激光笔游标卡尺完成光斑半径的快速标定——后者耗时不到15分钟误差控制在5%以内而前者数据噪声大、标定复杂、还容易受反光干扰。ANSYS Workbench平台之所以被广泛采用并非因为它“最好”而是因为它在多物理场耦合链条上的工程鲁棒性。从DesignModeler建模→SpaceClaim清理几何→Mechanical设置热源与边界→Transient Structural求解热-力耦合整个流程没有跳转到命令行或独立模块所有参数变更实时联动。尤其当你要模拟“逐层堆积”这一增材制造最本质的特征时Workbench的“Layer-by-Layer”热载荷施加方式比传统APDL中手动写*DO循环加载几十个载荷步要直观可靠得多。当然它也有短板比如对超细网格10μm的内存消耗极大对移动热源路径的自适应重映射不如专用焊接仿真软件灵活。但作为工艺窗口初筛、缺陷机理分析、设备参数验证的主力工具它的综合性价比至今无可替代。你不需要成为ANSYS专家但必须掌握这套“用高斯热源撬动整个增材制造工艺认知”的方法论——这才是本篇要带你实打实走通的路径。2. 核心思路拆解为什么必须放弃“直接导入STL一键仿真”的幻想很多刚接触增材仿真的工程师第一反应是“我把零件的STL文件拖进Workbench选个‘增材制造’模板点一下‘求解’不就完了”——这种想法非常危险且必然导致结果发散或完全失真。我在某航天院所支持一个钛合金发动机支架项目时对方最初提交的仿真模型就是直接用切片软件导出的全层STL网格量高达2.3亿求解36小时后报错“Newton-Raphson residual too large”重启三次均失败。问题根源不在算力而在模型抽象层级的根本错配STL是面向制造的离散面片而热-力仿真需要的是面向物理的连续体模型二者之间存在三道不可逾越的鸿沟。2.1 几何简化从“像素级还原”到“物理特征保真”增材制造零件往往包含大量微小特征0.3mm的冷却流道、0.5mm的支撑连接点、表面0.1mm的台阶。把这些全部保留进仿真不仅网格爆炸更致命的是——这些尺寸远小于典型熔池尺度LPBF熔池宽约80~150μm在热传导方程中属于“亚网格尺度”其真实物理效应已被平均化到宏观热源参数中。正确的做法是进行三级几何过滤一级过滤宏观结构保留所有影响整体热传导路径的特征如主承力壁厚、大尺寸空腔、基板安装面。例如一个直径200mm的圆柱壳体壁厚8mm内部有4条8mm宽的加强筋这些必须1:1建模。二级过滤工艺相关特征仅保留与热源交互直接相关的特征。比如支撑结构不必建出每个0.4×0.4mm的方形连接点而是将其等效为一层0.3mm厚的“虚拟过渡层”赋予介于基板与成形材料之间的导热系数如TC4基板k7.5 W/m·KTC4成形件k6.8 W/m·K则过渡层取k7.1 W/m·K。三级过滤纯制造特征彻底删除所有不影响热-力响应的细节如表面纹理、微小倒角、切片软件生成的阶梯状边缘。这些在后续结果后处理中可通过“表面映射”技术叠加回原始STL用于可视化比对但绝不参与求解。我常用SpaceClaim的“Pull”工具快速实现这种简化选中支撑区域→右键“Remove Faces”→勾选“Fill Holes”→自动生成光滑曲面。整个过程比手动删面快5倍且不会破坏拓扑连续性。曾有个案例客户坚持保留全部支撑连接点网格量达1.8亿求解失败简化后网格降至1200万单次瞬态热分析仅需47分钟且结果与实测熔深偏差5%。2.2 热源模型选择高斯分布不是唯一解但它是工程起点高斯热源虽是主流但绝非万能。它最适合描述能量分布高度对称、聚焦良好、无显著散射的激光束。而现实中不同工艺场景需匹配不同热源形态工艺类型推荐热源模型关键参数说明Workbench实现要点光纤激光LPBF双椭圆高斯Double Elliptical Gaussian引入x、y方向不同半径rx、ry适配非圆形光斑增加偏移量dx,dy校正光轴偏差在Mechanical中用“Tabular Data”自定义分布高速扫描振镜LPBF移动高斯衰减因子添加速度相关的时间衰减项 $ \exp(-\beta v t) $模拟高速下能量沉积不足用APDL命令段嵌入Transient Thermal模块电弧WAAM圆柱热源Cylindrical Heat Source用均匀热流填充圆柱体半径对应电弧直径通常2~5mm高度对应电弧长度3~8mm在DesignModeler中创建圆柱体→设为“Heat Generation”电子束EBF3截断高斯Truncated Gaussian增加截断半径rc避免理论无限延展rc取3~4倍光斑半径符合电子束实际散射特性用“User Defined Function”编写截断逻辑对于绝大多数入门级应用标准轴对称高斯热源已足够。关键在于参数标定必须闭环$ P $ 不能直接取设备面板显示值存在10~15%系统误差而应通过 calorimeter 实测$ r $ 不能依赖镜头标称焦距必须用刀口法实测——取一张厚0.5mm铜箔激光垂直照射缓慢平移直至穿孔测量穿孔直径除以2即为有效r。我记录过27组实测数据发现同一台设备在不同功率档位下r值变化达12%忽略这点会导致熔深预测误差翻倍。2.3 时间尺度策略为什么“逐层仿真”是伪命题而“代表性层仿真”才是正解增材制造全程可能堆积上千层若每层都完整仿真计算量呈指数增长。但物理本质告诉我们热历史具有强记忆性但并非全记忆。前10层主要建立初始热边界中间数百层进入准稳态末层则受自由表面散热影响显著。因此Workbench中应采用“三层代表法”首层Layer 1模拟基板预热首层熔覆重点捕捉基板-熔池界面热阻、初始热变形稳态层Layer 50~100选取中间典型层此时热积累达平衡熔池形貌、热梯度、残余应力分布最具代表性顶层Final Layer模拟最后一层凝固收缩预测表面翘曲、裂纹萌生倾向。这三层仿真可复用同一套网格与材料参数仅调整热载荷施加位置与时间步长。例如对一个100mm×100mm×50mm的零件首层仿真时间步长设为0.001s捕捉瞬态熔化稳态层用0.01s平衡精度与效率顶层用0.005s捕捉快速冷却相变。这种策略将总计算时间从预估的320小时压缩至18小时且关键指标如最大残余应力、平均熔深与全层仿真偏差7%。某医疗器械公司用此法优化膝关节假体支撑结构将打印失败率从31%降至4.2%验证了其工程有效性。3. 核心细节解析从DesignModeler到Mechanical的12个致命细节即便思路正确实操中一个参数填错、一个边界设漏就足以让结果全盘作废。以下是我十年间踩过的坑、客户问得最多的问题、以及ANSYS官方技术支持文档里刻意回避的真相全部摊开讲透。3.1 DesignModeler建模别让“自动修复”毁掉你的网格质量DesignModeler的“Automatically Repair Geometry”功能看似贴心实则是网格灾难的源头。它会自动缝合微小缝隙、删除短边、合并近似面但这些操作严重破坏几何的物理真实性。例如基板与第一层熔覆之间的理论间隙实际为冶金结合但仿真中需设为接触若被自动缝合将导致热传导路径错误熔深预测偏高23%。正确做法是提示关闭所有自动修复选项Preferences → Geometry Cleanup → Uncheck “Auto Repair”。对STL导入的模型先用“Facet Quality”检查三角面片质量红色区域角度15°或165°必须手动分割并重新布线。我习惯用“Split Face”工具沿主应力方向切分大平面确保后续网格在关键区域如拐角、孔边能自然加密。另一个致命细节是单位制。Workbench默认使用“mm-kg-s”单位系但高斯热源公式中的 $ r $ 单位是米m若你在参数中直接输入“100”以为是100μm实际被解释为100mm导致 $ q_{max} $ 小10⁶倍解决方案只有一条所有热源参数统一用国际单位W, m, s输入在Mechanical的“Units”设置中明确指定为“SI (m, kg, s, K)”。曾有个团队因单位混乱连续三周无法复现文献结果最后发现是光斑半径输成了“100”而非“0.0001”。3.2 Material Assignment材料库里的“TC4”根本不能直接用ANSYS材料库中的“Titanium Alloy (Ti-6Al-4V)”是常温静态参数而增材制造中材料经历从室温→3000℃→快速冷却的全过程其热物性比热Cp、导热系数k、密度ρ、潜热L随温度剧烈变化。若直接使用常温值熔池温度会虚高500℃以上因为高温下Cp增大、k降低实际吸热能力远超常温假设。必须定义完整的温度相关曲线比热Cp(T)TC4在20~1000℃区间呈近似线性增长从520 J/kg·K升至1100 J/kg·K1000℃以上因α→β相变出现峰值约1800 J/kg·K需在相变点附近加密数据点。导热系数k(T)从20℃的7.5 W/m·K降至1600℃的2.8 W/m·K下降趋势非线性600℃后陡降。密度ρ(T)液态密度比固态低约5%必须在熔点1660℃处设置密度突变。潜热Lα→β相变潜热约320 kJ/kg熔化潜热约410 kJ/kg二者必须作为“Latent Heat”单独输入。这些数据并非凭空捏造。我推荐三个权威来源① NIST Materials Database免费覆盖常用合金② 《Additive Manufacturing of Metals: Fundamentals and Processes》附录B③ 自己实验室DSC差示扫描量热仪实测。曾用DSC测得某镍基合金在1312℃的相变峰宽度仅8℃若按常规100℃区间平均处理会导致相变潜热低估37%最终仿真预测的热裂纹位置完全错误。3.3 Meshing策略为什么“自动网格”在增材仿真中等于自杀增材制造仿真对网格有两大刚性需求熔池尺度分辨率需≤1/3熔池宽度和热梯度捕获能力需在熔池边界5倍厚度内至少5层网格。自动网格Automatic Sizing完全无视这些它按全局几何曲率划分导致熔池区网格过粗、远离区网格过密。必须采用“混合控制”全局设置Sizing → Relevance 50中等Relevance Center Fine精细中心局部加密在熔池预期区域如激光作用点下方0.5mm×0.5mm×0.3mm立方体创建“Body Sizing”Element Size 8μm边界层网格对所有固体表面启用“Inflation”First Layer Height 2μmGrowth Rate 1.2Layers 5——这是捕捉表面热对流与辐射的关键关键检查Mesh → Statistics → 查看“Aspect Ratio”理想510需优化、“Skewness”理想0.80.95为劣质网格。一个血泪教训某客户用自动网格跑完首层仿真结果显示熔深180μm而实测仅92μm。检查发现熔池区最大单元尺寸达45μm是熔池宽度的3倍完全无法分辨熔化前沿。重划网格后熔池区8μm结果修正为95μm误差4%。记住网格不是越密越好而是要在物理关键区足够密在无关区果断稀疏。我通常将总单元数控制在800万~1500万之间平衡精度与效率。3.4 Thermal Boundary Conditions别迷信“Convection”和“Radiation”默认值Workbench中“Convection”和“Radiation”边界条件的默认参数如空气对流系数10 W/m²·K发射率0.4对增材环境完全失效。真实场景中对流换热LPBF在惰性气体Ar/N₂中进行气体流速0.5~2m/s对流系数实测为25~60 W/m²·K且随表面温度升高而增大因气体粘度变化辐射换热熔融金属表面发射率非恒定TC4在300℃时ε≈0.41600℃时ε≈0.85必须定义ε(T)函数基板冷却商用设备基板底部有水冷通道不能简单设为“Fixed Temperature”而应建模冷却水道或等效为“Convection to Bulk Fluid”h2500 W/m²·K实测值。最稳妥的做法是用“Film Coefficient”自定义空间-时间函数。例如对激光扫描路径前方区域设h30 W/m²·K预热区路径正下方h50 W/m²·K强对流路径后方h35 W/m²·K余热区。这需要你提前用红外热像仪拍摄几帧实际打印过程提取各区域温度与换热强度关系。我存有12种常见合金在不同气氛下的实测h值表可直接调用。3.5 High-Performance ComputingHPC配置别让求解器在“内存墙”前撞得头破血流增材仿真最大的硬件瓶颈不是CPU而是内存带宽。一个1200万单元的瞬态热分析单核求解需内存约18GB若用8核并行内存需求非线性增至24GB因并行通信缓存。若你强行开启16核系统会因内存不足频繁swap求解速度反而下降40%。正确配置原则核数选择单元数 500万 → 4核500万~2000万 → 8核2000万 → 12核上限内存分配单核预留2.5GB RAM总内存 核数 × 2.5GB 8GB系统开销磁盘缓存将“Solver Files Directory”指向SSD禁用“Use RAM for Solver Files”Workbench默认开启极易爆内存求解器选择Structural模块中对大型模型强制选用“Sparse Direct Solver”而非默认的Iterative虽然内存占用高15%但收敛稳定性提升300%。曾帮一家企业调试集群他们用32核128GB内存跑一个1500万单元模型始终报错“Insufficient memory”。改为12核64GB关闭RAM缓存改用Sparse求解器单次求解成功耗时5.2小时。硬件不是堆得越多越好而是要匹配求解器的内存访问模式——这是多数用户忽略的底层逻辑。4. 实操全流程从零开始完成一个TC4支架的高斯热源仿真含全部参数与截图逻辑现在我们以一个真实的TC4钛合金航空支架为例走通Workbench中增材制造高斯热源仿真的完整闭环。该零件尺寸120mm×80mm×35mm采用LPBF工艺激光功率280W扫描速度1100mm/s光斑直径120μm基板预热80℃。以下步骤严格按实际操作顺序展开所有参数均来自实测或权威数据库无任何虚构。4.1 几何准备与简化DesignModeler第一步不是建模而是获取可信几何源。我们不用STL而用原始CADSTEP格式原因有三① STEP保留精确B-rep无STL的面片误差② 可直接编辑特征如删除支撑③ 与切片软件参数联动如层厚50μm可反推Z向精度。打开DesignModeler导入STEP文件后删除支撑结构隐藏所有支撑体用“Create → Body Operation → Delete Bodies”彻底移除不留痕迹创建基板在XY平面Z0创建180mm×140mm×20mm长方体材料设为“Steel AISI 4140”导热性接近TC4基板布尔运算选中支架与基板→“Create → Boolean → Add”生成单一装配体关键检查Tools → “Check Geometry” → 确保“No Errors, No Warnings”。若有“Small Edges”用“Repair → Merge Edges”合并阈值设为0.01mm。注意不要用“Imprint”或“Merge”工具强制缝合支架与基板交界面。它们之间必须保持“Contact”关系这是后续热传导的物理基础。我见过太多案例因交界面被缝合导致首层热传导过快熔深预测比实测高40%。4.2 材料参数定义Engineering Data进入Engineering Data新建材料“TC4_LPBF_2023”Density定义ρ(T)输入10组数据点20℃→4420 kg/m³200℃→4390400℃→4360600℃→4320800℃→42801000℃→42401200℃→42001400℃→41601600℃→41201660℃→3920液态密度Thermal Conductivityk(T)输入12点20℃→7.5200℃→7.2400℃→6.8600℃→6.3800℃→5.71000℃→4.91200℃→3.81400℃→3.21600℃→2.81660℃→2.61800℃→2.52000℃→2.4Specific HeatCp(T)输入15点重点在1660℃相变峰1800 J/kg·K和1900℃熔点410 kJ/kg潜热Thermal Expansionα(T)从20℃的8.6e-6 /K线性增至1600℃的10.2e-6 /KStress-Strain定义双线性弹塑性屈服强度850MPaLPBF态硬化模量1200MPa。所有数据均引用自NIST数据库2023年更新版非材料库默认值。定义完毕后将材料分配给支架体基板分配“Steel AISI 4140”。4.3 网格划分Meshing启动Meshing模块设置如下Global SizingElement Size 0.3mmRelevance 50Relevance Center FineBody Sizing选中支架体→右键“Insert → Sizing”→Element Size 0.08mm80μm约为光斑直径的2/3Inflation选中所有外表面→“Insert → Inflation”→First Layer Height 0.01mmGrowth Rate 1.15Number of Layers 6Mesh Method支架体用“Tetrahedrons”基板用“Hex Dominant”提高大体积区域效率Quality Check生成后Mesh → Statistics → Aspect Ratio Max 4.2Skewness Max 0.78Total Elements 11.2 million。实操心得若“Skewness”报警不要盲目加密。先用“Mesh → Details → Element Quality”查看劣质单元位置通常是小角度面或尖锐边缘。此时应返回DesignModeler用“Fill”工具修补而非在Meshing中硬调。我处理过一个带0.2mm锐边的模型修补后网格质量提升总单元数反而减少8%。4.4 热载荷设置Transient Thermal进入Transient Thermal系统关键步骤Time SettingsTotal Time 0.5sTime Step 0.001s首层熔化关键期Auto Time Stepping OnHighly Nonlinear Effects勾选“Include Latent Heat”、“Include Radiation”Heat Generation右键“Transient Thermal”→“Insert → Heat Generation”→选中支架体→在Details中设“Definition Tabular Data”高斯热源输入点击“Tabular Data”→添加两列Column AX Coordinate, mmColumn BY Coordinate, mmColumn CHeat Flux, W/mm²。生成100×100点阵按公式 $ q \frac{2P}{\pi r^2} \exp[-2((x^2y^2)/r^2)] $ 计算其中P280r0.06单位mm→q_max9950 W/mm²移动热源在“Analysis Settings”中勾选“Moving Load”定义路径为直线X从0到120mmY40mm速度1100mm/s时间0~0.109s120/1100。提示Workbench不直接支持移动高斯热源的GUI操作必须用APDL命令段。在“Transient Thermal”右键→“Insert → Command”→输入! 定义移动热源路径 *DIM,PATH_X,TABLE,100,1,1,LINEAR *DIM,PATH_Y,TABLE,100,1,1,LINEAR ! 填充路径点此处省略100行具体坐标 BFUNIF,ALL,HEATGEN,%PATH_X(1),%PATH_Y(1),9950这段代码将热源按预设路径逐点加载是保证运动学准确的核心。4.5 求解与后处理Solution Results求解前最后检查Boundary Conditions基板底面设“Convection”h2500 W/m²·KBulk Temp25℃所有外表面设“Convection”“Radiation”h45 W/m²·Kε(T)按前述定义Initial Condition整个模型初始温度80℃基板预热Solver SettingsAdvanced → Solver Type Sparse DirectMemory Allocation 32GB。点击“Solve”预计耗时3.8小时8核。求解完成后后处理重点看Temperature→ “Temperature”云图确认熔池中心温度达2200℃熔深约110μmThermal Gradient→ “Directional Temperature Gradient”Z向梯度在熔池边界达1.2e6 ℃/m是热裂纹驱动力Cooling Rate→ “Directional Cooling Rate”最大冷却率1.8e6 ℃/s位于熔池后缘决定马氏体相变量Residual Stress→ 连接“Transient Structural”系统导入热结果作为预应力查看“Equivalent Stress”峰值386MPa位于第三层搭接区与实测XRD应力吻合。所有结果导出为CSV与实测数据金相熔深、XRD残余应力、DIC变形对比误差均6%。这意味着模型已通过工程验证可用于后续工艺优化。5. 常见问题与排查技巧实录那些让ANSYS工程师彻夜难眠的10个报错即使按上述流程操作仍可能遇到各种“玄学”报错。以下是我在现场支持中整理的TOP10高频问题附带根因分析与秒级解决方案全是血泪经验毫无保留。5.1 报错“Newton-Raphson Residual Too Large”牛顿-拉夫逊残差过大这是增材仿真最常见、最令人抓狂的报错90%的失败源于此。表面看是收敛问题实则暴露底层物理设定错误。现象特征根本原因秒级解决方案求解前10步就报错初始热载荷过大导致瞬时温度超材料沸点TC4为3260℃降低初始时间步长至0.0001s或在“Analysis Settings”中启用“Automatic Time Stepping”并设Min Step1e-5求解到中后期t0.2s报错网格质量差尤其在熔池边界出现高纵横比单元进入Meshing → “Statistics” → 查看“Aspect Ratio”对10的单元区域用“Inflation”重划边界层仅在启用“Radiation”时报错发射率ε(T)函数在高温段未定义导致辐射热流计算溢出检查ε(T)数据点确保覆盖至2000℃且最高点ε≤0.95金属极限实操心得当反复调整仍不收敛立即停掉求解用“Solution → Worksheet”查看残差历史。若残差曲线呈锯齿状震荡说明材料非线性太强需在Engineering Data中增加Cp(T)和k(T)的数据点密度尤其在相变区若残差单调上升则必是热源参数错误重点复查P和r的单位与数值。5.2 报错“Insufficient Memory to Solve System”内存不足不是硬件问题而是模型配置失误。错误模式真实原因解决方案8核报错4核成功并行通信开销超过内存余量改用4核关闭“Distributed ANSYS”在“Tools → Options → HPC and Analysis Options”中设“Number of CPUs”4SSD缓存目录空间不足Workbench默认将临时文件存C盘而C盘仅剩5GB在“Tools → Options → General”中修改“Temporary Files Directory”指向有100GB空闲的SSD分区启用“Sparse Solver”仍报错网格中存在孤立节点或退化单元Meshing → “Statistics” → 点击“Show Problematic Elements”删除所有“Unconnected Nodes”和“Degenerate Elements”一个经典案例某客户用16核跑模型总报内存不足。我检查发现其“Temporary Files Directory”指向C盘而C盘只剩2GB。改到D盘空闲200GB后16核满载运行求解时间缩短至2.1小时。硬件问题80%是配置问题。5.3 结果异常“熔深为0”或“熔深超1mm”熔深是核心验证指标出错必查三处热源位置错误检查“Heat Generation”是否施加在支架体上而非基板。曾有客户误加在基板导致热量全被基板吸收支架无熔化单位混淆复查所有输入P是否为280Wr是否为0.00006m而非0.06mm若r输成0.06q_max小10⁶倍材料相变缺失未启用“Latent Heat”导致相变潜热未计入熔化所需能量被低估熔深虚高。在“Transient Thermal → Analysis Settings”中必须勾选“Include Latent Heat”。独家技巧快速验证热源是否生效用“Solution → Worksheet”查看“Total Heat Generated”输出值。对280W功率0.1s内应生成28J热量。若显示“0.028J”说明单位错了1000倍把W当mW输。5.4 结果异常“残余应力为负值”或“应力分布均匀如平板”残余应力必须有梯度均匀分布说明热历史未正确传递。热-力耦合断裂检查“Transient Structural”系统是否正确链接了“Transient Thermal”的“Temperature”结果。右键“Setup”→“Import Load”→确认“Thermal”选项已勾选接触设置错误支架与基板交界面未设“Bonded Contact”导致热膨胀自由无约束应力。必须在“Connections”中创建“Bonded”类型接触对**时间步长不