摘要本文围绕直流有刷电机驱动设计中 MPQ6615 芯片的应用展开介绍其 H 桥架构、关键电气参数与内部保护特性并结合实际工程中遇到的过温保护、低温冷启、电流采样偏置等问题通过波形记录与手册对照进行分析。文章还重点讲解了刹车关断时的电流续流机制包括异步衰减与同步衰减的区别以及慢衰减、快衰减、混合衰减三种控制模式的特点与适用场景。当前所在的企业在直流有刷电机驱动设计中更倾向于使用 MPQ6615。MPQ6615 是一款 H 桥直流电机驱动器。H 桥由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成当结温 (TJ) 为 25℃ 时每个 MOSFET 的导通电阻为 11mΩ。它还集成了预驱动器、栅极驱动器电源和电流检测放大器。该驱动器的电机电源电压范围为 4.75V 至 40V根据散热和 PCB 条件可提供高达 8A 的连续输出电流 (IOU)。器件内部的电荷泵为高端 MOSFET (HS-FET) 产生栅极驱动器电源电压涓流充电电路可维持 100% 占空比运行所需的足够栅极驱动器电压。内部安全特性包括过流保护 (OCP)、欠压锁定 (UVLO) 保护和热关断。采用 TQFN-26 (6mm x 6mm) 封装。在实际应用中会遇到很多样的问题比如循环运动累计的过温保护低温冷启的启动尖峰或者反向电动势触发过流保护电流采样的静态偏置和误差等等。问题记录波形记录手册对照过温保护低温冷启偏置误差电流续流刹车关断 MOSFET由于电机线圈的电感效应电流续流有两种模式一是通过 MOS 的体二极管进行续流称之为异步衰减二是打开两个非直通的上下管进行续流称之为同步衰减。异步通过体二极管压降大所以损耗也大。同步经过 MOS 的 Rdson一般内阻较小损耗也小。电流续流的三种衰减控制模式慢衰减模式主要是通过下桥臂的两个驱动管来续流相电流的纹波相对较小。快衰减模式主要是通过斜对角的两个驱动管来续流快衰减模式下相电流的纹波相对较大。对应的相电流波形是先 Driving 驱动阶段然后先快衰减持续 TDECAY 时间接着切换到慢衰减。混合衰减模式下相电流的纹波介于快衰减和慢衰减之间。TDECAY 时间可根据电机及应用场景来设置调整。对于 MPQ6615 这颗芯片来说有三种输入配置模式可以通过 dir 和 brk 引脚来配置它的刹车模式。