随着电动汽车智能化如智能座舱、域控制器、高级驾驶辅助系统的快速发展车载配件对功率 MOSFET 提出更高要求高效率、高功率密度、低 EMI、高可靠性。微碧半导体VBsemi基于先进的 Trench 及 SGT 工艺为您提供覆盖车身控制、电源管理、电机驱动的完整 AI 车载功率解决方案。⚡ AI 电动汽车专属三核功率组合型号封装电压/电流关键导通电阻在 AI 汽车中的角色VBGQF1302DFN8(3x3)30V / 70A1.8mΩ10V高功率负载开关/电机驱动VBC9216TSSOP820V / 7.5A (双N)12mΩ4.5V域控制器/智能座舱电源管理VBQG1101MDFN6(2x2)100V / 7A75mΩ10V48V系统/车载充电辅助 VBGQF1302 · 高功率负载核心 SGT 工艺封装DFN8(3x3) (单N沟道)VDS / ID30V / 70A (Tc25°C)RDS(on) 10V1.8mΩ (max)RDS(on) 4.5V2.75mΩ (max) AI 汽车中的关键作用用于智能电动尾门、隐藏式门把手、主动悬架等高功率负载驱动。极低的导通电阻1.8mΩ确保大电流下发热量极小配合 AI 算法实现快速、平稳的驱动控制效率提升超过 95%满足汽车级 AEC-Q101 可靠性要求。 VBC9216 · 智能域控电源管家 Trench 双N封装TSSOP8 (双N沟道)VDS / ID20V / 7.5A (每路)RDS(on) 4.5V12mΩ (max)Vth 范围0.86V (逻辑电平驱动) AI 汽车中的关键作用用于域控制器如座舱域、车身域的电源路径管理、多路传感器供电切换。双 N 集成节省 50% 空间超低内阻12mΩ4.5V和低阈值电压可直接由 3.3V/5V SoC 驱动实现 AI 芯片电源的智能动态分配和快速唤醒降低静态功耗 30% 以上。⚡ VBQG1101M · 48V 系统电源核心 Trench 工艺封装DFN6(2x2) (单N沟道)VDS / ID100V / 7A (Tc25°C)RDS(on) 10V75mΩ (max)栅极电荷 Qg低 (适合高频) AI 汽车中的关键作用适用于 48V 轻混系统MHEV的 DC-DC 转换器、车载充电机OBC辅助电源、水泵/油泵驱动。100V 耐压提供充足余量75mΩ 的低内阻确保了高效率DFN 小封装满足高功率密度设计助力 AI 能量管理算法实现最优能效。 AI 电动汽车配件功率链示意图12V/48V 电池 ➔ DC-DC (VBQG1101M) ➔车身域控 (VBC9216) ⬅➡ AI 座舱/ADAS高功率负载 (VBGQF1302)(电动门、主动格栅、悬架) 推荐选型配置 (基于应用场景)应用场景核心功率开关电源/控制管理高压辅助智能车身域控制器VBC9216 × 2 (多路电源)VBC9216 × 1VBQG1101M × 1高功率执行器 (如电动尾门)VBGQF1302 × 2 (H桥)VBC9216 × 1-48V 轻混系统辅助电源VBQG1101M × 2 (并联)VBC9216 × 1VBQG1101M × 1 为什么这套方案匹配 AI 电动汽车趋势✅高效率— SGT/Trench 工艺带来极低 RDS(on)降低导通损耗提升整车续航✅高集成度— DFN/TSSOP 小封装双 N 设计为域控制器节省宝贵空间✅智能化兼容— 低 Vth 支持 3.3V/5V 逻辑直接驱动无缝对接 AI 芯片与算法✅高可靠性— 符合汽车电子严苛环境要求支持 AEC-Q101 标准确保长寿命与稳定性