该机型隶属 Thermo Fisher原 FEI聚焦离子束研磨系统FIB, Focused Ion Beam核心搭载 Ga⁺液态金属离子源LMIS离子加速电压区间 0.5kV\30kV 连续可调成像模式低束流 1pA\1nA精密研磨高束流最高 60nA离子束成像分辨率 7nm30kV 工况适配半导体晶圆截面制样、BGA 焊球剖面剖析、MEMS 器件精细剥离加工。真空系统配置干泵 分子泵机组腔体极限本底真空优于 8×10⁻⁷Torr工作真空稳定维持 1×10⁻⁶\5×10⁻⁶Torr样品台支持 0°\90° 倾角调节、360° 面内自转单次承载最大 6 英寸晶圆试样搭配低温制冷基座规避离子轰击热损伤。整机集成 GIS 气体注入系统可实现 Pt、SiO₂气相沉积补强刻蚀区域配套原位 SEM 二次电子同步观测。二手设备日常保养每日开机前校验真空检漏每周清洁离子枪隔离阀、更换分子筛吸附剂每月校准离子束对中、样品台运动重复定位精度每季度检测 Ga 离子源发射稳定性清理腔体内壁溅射沉积物闲置期间保持腔体低真空封存杜绝水汽氧化污染镜筒光路。海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。免责声明Disclaimer一、内容溯源与适用范围Source Scope of Application本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件仅用于技术研究、方案对比及行业参考不作任何商业用途。二、内容效力与权责界定Validity Liability Definition本文观点与结论为通用技术参考非设备原厂官方定论不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据未经原厂实测核验不得用于项目验收、举证追责。三、风险承担与合规说明Risk Assumption Compliance Statement使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任由使用者自行承担本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议将及时核实整改。