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读半导体简史16IBM

2026/8/4 7:58:53 拓冰建站 浏览量
读半导体简史16IBM

读半导体简史16IBM

1. 蓝色巨人

1.1. 蓝色巨人开创的大型机时代,不是IBM对人类的最大贡献

1.2. 1945年成立的沃森研究院,在历经20余年的沉淀后逐步发力,在物理、化学与数学等基础学科领域,为IBM提供了足够的底蕴,为蓝色巨人掌控半导体全产业链打下了深厚的基础

1.3. 以晶体管为基石制作了一个被称为SMS(StandardModular System)的电子模块

1.4. IBM在20世纪50年代,搭建7000系列大型机使用的主要电子线路模块

1.5. SLT模块是IBM有史以来,首次采用全球合作方式制作的电子元器件

  • 1.5.1. SLT的性能显然不如单片集成电路,但与SMS模块相比,至少与玩具划清了界限

  • 1.5.2. SLT成为搭建System/360大型机的必然选择

  • 1.5.3. 1964年,IBM正式推出SLT模块

  • 1.5.4. 1965年,IBM生产的SLT数量高达100万片

  • 1.5.5. 1966年为600万片

  • 1.5.6. 并于1967~1969年将年产量提高到了1100万片

  • 1.5.7. 半导体产业因为IBM的这次强势出击而翻天覆地

1.6. IBM在大型机时代获得的巨大成功,确保了其在电子信息产业中的地位

1.7. IBM在SLT技术上的千金一掷,使其具备了庞大的电子制造业与工厂

1.8. 率先研制出的新工艺,使IBM有条件制作出性能更高的集成电路

  • 1.8.1. 性能更高的集成电路,进一步维护IBM在大型机产业中的霸主地位

1.9. IBM率先提出无尘工厂的概念,制定出多如牛毛般的管理与制作标准,规范了集成电路制作的主要流程,整合了半导体上游的设备与材料,将半导体制造业推向阶段顶峰

1.10. 晶圆厂以效率优先为第一要务,所有设备需要按照产能利用最大化为原则,搭建成为若干条流水线协调运转

1.11. 制定流程,协调运转各类设备,不是蓝色巨人的最终追求

1.12. 半导体设备、材料与制作工艺之间存在的紧耦合关系,使得独立研究某一种设备与材料并不可行

1.13. 在半导体制造业,上游以科技为本,是兵家必争之地,比的是十年磨一剑的底蕴

  • 1.13.1. 在中上游确立领袖地位的IBM,轻而易举地在产业下游获取了巨大利益

1.14. 1997年,IBM提出铜互连技术

  • 1.14.1. 铜和铝同为金属晶体材料

  • 1.14.2. 在宏观世界中,铜制作金属层的优势远远超过铝

  • 1.14.3. 与铝相比,铜的电阻率更低,连线功耗更低,传输延时更短,分布电容更小,电迁移特性更高

  • 1.14.4. 大自然有118种元素,可以结合成3000多万种物质,在这些物质中,有条件成为铜金属阻挡层的有几百种材料

  • 1.14.5. 铜互连技术是半导体材料科学的一次重要微创新

  • 1.14.5.1. 在材料领域,任何一项微不足道的创新,均需要经历漫长的过程。实验室的偶然成功仅仅是第一步,之后还有小试、中试与大规模生产,在其中任何一个环节出现问题,都需要回溯至上一个阶段,甚至回归到实验室阶段

  • 1.14.6. 铜互连技术非常幸运,顺利通过了实验室、小试、中试与大规模生产这些必要环节,成为迄今为止半导体金属层连线的不二之选

1.15. IBM推出铜互连技术的同时,提出Low-K介质填充技术

  • 1.15.1. 金属层数的不断增加,使得层间电容持续提高

  • 1.15.2. 降低电容的有效方法是选择介电常数低的填充材料,一般称为Low-K材料

1.16. IBM在半导体制作领域取得的这些成就,持续推动着集成电路沿着摩尔定律的道路前行

2. 半导体测试设备

2.1. 最早出现的商用半导体设备,不是光刻设备,而是半导体测试设备

2.2. 1961年,Teradyne公司在波士顿成立后不久,发布了一款基于计算机的自动测试系统(Automatic Test Equipment,ATE)

2.3. 直到今日,Teradyne依然是ATE设备的主要提供商

2.4. 1967年,Applied Materials成立,开始为半导体制作工厂提供设备

2.5. 检测设备的重要性不亚于生产设备,由三大类组成,分别为量测(Metrology)、缺陷检测(Defect Inspection)和测试(Test)设备组成,分别简称为“量”​“检”与“测”​

2.6. 在“量检测”设备中,​“量”与“检”设备的技术含量最高,其使用贯穿于晶圆厂流水线的始末,监控集成电路制作的全流程

2.7. 与“测”相关的设备用于晶圆制作后期与封装测试厂,检查生产出的集成电路是否满足设计需求

2.8. “量”相关设备与半导体材料的计量学相关,用于测量制作过程的各种参数,包括电阻率、应力、掺杂浓度、膜厚、关键尺寸与套刻精度等

  • 2.8.1. 不能准确量测各类参数,就无法控制每道工序的执行结果,这就是“量”存在的意义

2.9. 在现代集成电路的制作中,​“量检”设备的重要性容易被忽略,甚至与测试设备混淆

2.10. ​“量检”设备基于量子力学的光谱分析与隧穿效应原理,实现难度远超过测试设备

3. 等离子体

3.1. 1920年,诺贝尔化学奖得主,美国科学家欧文·朗缪尔,在研究灯丝中带电粒子的发射过程中,第一次观测到这个变幻莫测的等离子体世界

3.2. 物质常见的三种状态是固、液与气态,等离子体是物质的第4种状态

  • 3.2.1. 在人类能够生存的优越环境中,不存在等离子体

  • 3.2.2. 在浩瀚的宇宙中,超过99%的可见物质处于等离子态,地球不过是一个非常另类的存在

  • 3.2.3. 天然等离子体存在于太阳核心、日冕、太阳风,以及自然界中的闪电、火焰与极光等环境中

  • 3.2.4. 通过加热可以进行固、液、气与等离子态之间的转换

3.3. 在等离子环境中,物质构成与地球大不相同

  • 3.3.1. 在温度高达15000000K的太阳核心,物质的外层电子容易脱离原子核的束缚成为自由电子,失去电子的原子成为离子,从而形成带正电、负电的离子,以及没有失去电子的粒子

  • 3.3.2. 等离子体由正负离子与没有失去电子的粒子组成

3.4. 并不是所有由正离子、负离子与中性粒子组成的系统即为等离子体系统

3.5. 等离子体具有严格的判据,包括“等离子体近似”​“多粒子参与的群体相互作用”等条件

3.6. 等离子体可分为高温等离子体和低温等离子体两大类

  • 3.6.1. 高温等离子体的温度,甚至可以高达1亿摄氏度

  • 3.6.2. 低温等离子体的温度可以为室温

  • 3.6.2.1. 在低温等离子体中,电子温度可以高达上万摄氏度,但是离子温度并不高,从而整个系统的温度较低

4. 加减法设备

4.1. 集成电路的制作,需要不断添加或者去除材料

4.2. 生产设备以光刻为中心,在集成电路制作过程中,光刻占据40%~50%的时间,其他工序围绕光刻进行

4.3. 在集成电路的生产设备中,加减法设备的技术含量相对较高

  • 4.3.1. 减法设备主要由刻蚀与抛光设备组成

  • 4.3.2. 加法设备主要由沉积、外延与掺杂设备组成

4.4. 刻蚀设备是最重要的减法设备

  • 4.4.1. 由湿法与干法两类组成

  • 4.4.2. 湿法刻蚀采用酸性溶剂进行减法操作,例如磷酸和氢氟酸可以分别溶解氮化硅与二氧化硅层

  • 4.4.3. 1968年,美国Signetics公司的Stephen Irving发明干法刻蚀,用于去除光刻胶

  • 4.4.3.1. 各向异性干法刻蚀的优势是“指哪打哪”​,容易控制,与湿法刻蚀相比不会造成额外的破坏,其优势主要来自于等离子体(Plasma)的使用

4.5. 在集成电路制作中,反应离子刻蚀法(Reactive Ion Etching,RIE)使用低温等离子体进行刻蚀

4.6. 以干法刻蚀常用的CF4材料为例,当高速电子撞击CF4分子时,将发生电离(Ionization)、分裂(Dissociation)、激发(Excitation)与弛豫(Relaxation)这4个主要过程,以形成稳定的等离子体

  • 4.6.1. 干法刻蚀中,等离子体中的电子容易吸附在刻蚀机中的阴极与阳极上,并使其带负电,从而使两个电极附近的等离子体呈正电

4.7. 在刻蚀领域,华人具有优越的基因

  • 4.7.1. 干法刻蚀领域居世界之巅的泛林科技,其“林”字源自出生于中国广州的林杰屏

  • 4.7.2. 曾经在Applied Materials工作的王宁国博士,也对这个领域有着突出贡献

  • 4.7.3. 中国半导体设备领域整体处于弱势,但刻蚀设备与世界最高水平的差距却是最小的

4.8. 干法刻蚀之外,低温等离子体还是等离子增强气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)的制作基础

4.9. 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是常用的半导体加法设备,其原理是使用几种气相化合物或者气体单质,与半导体衬底表面进行化学反应,在其上生成薄膜的一种制作方法

4.10. 与化学气相沉积对应的还有一种重要的加法设备,即物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)

4.11. 离子注入与扩散是另外一种重要的加法操作,多用于掺杂

  • 4.11.1. 离子注入的缺点是在掺杂过程中,将造成晶格的表面损伤

  • 4.11.2. 为此在离子注入之后,需要进行退火,激活注入杂质,还原载流子电性能并修复晶格

4.12. CMP技术最早用于镜头制作,包括显微镜头、军事望远镜等领域

  • 4.12.1. 1983年,IBM引入CMP技术,优化集成电路后道工序中金属层的制作

  • 4.12.2. 20世纪90年代,CMP设备开始在前道工序中大规模普及,用于抛光浅沟槽隔离、电介层、多晶硅等多个环节

  • 4.12.3. CMP技术是实现铜互连技术的重要基础,其实现原理基于化学反应和机械动力,并由研磨机、研磨液、研磨垫、抛光终点量测、CMP后清洗等一系列辅助设备协同实现

4.13. 在集成电路的制作过程中,最重要的设备无疑是光刻机,​“量检”设备在重要程度上可以排在第二档

  • 4.13.1. 在晶圆厂中,集成电路的制作以光刻机为大脑,加减法设备为四肢,检测设备作为双眼,最终实现