Mos管 : 通过电场控制电流,区别于传统三极管的电流控制,是芯片的最小组成单位

主要作用为 :

1.放大电路

2.开关

Mos管分为N沟道和P沟道,并且每种又分为增强型和耗尽型---

1.增强型为本来没有沟道，外加电压 “造出” 沟道

2.耗尽型为天生自带沟道，不加电压也导通

N沟道增强型Mos管的组成:

1.衬底为P型半导体,两侧扩散为N型半导体区域

2.中间为绝缘层,上方为金属栅极[G]

工作原理 :

• 当栅极G接电源正极，源极S接负极时，栅极聚集正电荷。
• 电场吸引P型衬底中的电子向绝缘层下方移动，排斥空穴。
• 当栅源电压足够高时，衬底表面形成由电子构成的N型导电沟道，连接漏极和源极。

连接方式 :

1.栅极G连接小电源的正极,源极S连接小电源的负极---在N沟道Mos管中形成N沟道

电流方向为 : 栅极->源极S

2.漏极D连接大电路的正极,源极S连接大电路的负极---电流可以通过形成的N沟道,导通大电路

电流方向 : 漏记D->源极S

连接技巧: 反接漏记处的寄生二极管

简化图 :

P沟道增强型Mos管

P沟道增强型Mos管的组成

• 衬底为N型半导体，两侧为P型区域。
• 箭头方向朝外，代表空穴（正电荷）移动方向，或电子移出方向

工作原理 :

• 栅极G接负极，源极S接正极。
• 栅极负电荷排斥电子，吸引空穴至表面，形成P型沟道。

连接方式 :

• 控制回路：G接小电源负极，S接小电源正极。
• 主回路：S接大电源正极，D接大电源负极（经负载）。
• 电流路径：从源极S流向漏极D。

简化图 :

MOS管类型识别与导通机制

N沟道增强型MOS管

符号中箭头表示电子方向，即为N沟道。

内部连线为虚线，表示增强型。

导通思路为先导通栅极（G）到源极（S），进而使漏极（D）到源极（S）导通。

P沟道MOS管

箭头表示电子方向向外走

正确连接方式应为电流先从源极到栅极打通，形成通道后，电流再从漏极下来。

高阻态定义 : 电路中出现引脚出现悬空状态,电平不确定时将这种状态称为高阻态,字母Z标识---会导致信号不稳定

上拉电阻与下拉电阻 : 尽可能靠近输入引脚，以减小引线长度，降低受干扰面积。

上拉电阻 : 指将信号从不确定状态拉高至高电平，电阻本身为普通电阻，关键在于连接方式（接电源为正拉）。

下拉电阻 : 指将信号从不确定状态拉低至低电平，电阻本身为普通电阻，关键在于连接方式（接电源为下拉）。

开漏定义 :当MOS管截止时，漏极处于断开状态，既不连电源也不连地，输出呈高阻态（ZZ），故称“开漏”。

推挽输出模式 :无需外接上拉电阻即可实现高低电平的稳定输出，驱动能力强，无高阻态。

• 推挽模式通过电子的“推”和“拉”动作实现电平切换。

零欧姆电阻 :是阻值极小的电阻，并非真正的零阻值。

作用 :

1.测量某部分电路的耗散电流

2.当单面板布线空间受限的情况下,且两根需要连接的导线发生交叉时。可使用零欧姆电阻,当作导线使用，跨越另一根线路进行连接,起“高架桥”的作用，实现电气连通而不造成短路。